SSD-накопитель Samsung 1000GB M.2 PCI Express 3.0 x4 3D V-NAND (MZ-V8P1T0CW)
оставить отзыв
- Основная информация
- Характеристики
- Написать отзыв о товаре
Характеристики SSD-накопитель Samsung 1000GB M.2 PCI Express 3.0 x4 3D V-NAND (MZ-V8P1T0CW)
- Бренд:
Основные характеристики SSD-накопитель Samsung 1000GB M.2 PCI Express 3.0 x4 3D V-NAND (MZ-V8P1T0CW)
- Объем накопителя:
- 1000 ГБ
- Формфактор:
- M.2
- Интерфейс:
- Тип накопителя:
- Назначение накопителя:
- для ПК
Технические особенности
- Скорость записи:
- 5000 Мб/с
- Скорость чтения:
- 7000 Мб/с
- Тип ячеек памяти:
- 3D V-NAND
- Время наработки на отказ:
- 1.5 млн. ч
- Устойчивость к ударным нагрузкам:
- 1500 G в течение 0.5 мс
Размеры и вес
- Вес:
- 30.5 кг
- Размеры:
- 80 x 24 x 8.6 мм
Дополнительная информация
- Особенности:
- Поддержка шифрования: AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод),
- Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора,
- Поддержка технологии SMART,
- Поддержка технологии TRIM,
- Контроллер: внутренний контроллер Samsung,
- Буферная память: Samsung 1ГБ Low Power DDR4 SDRAM,
- Скорость случайного чтения блоками (4KB, QD 32): 1000000 IOPS,
- Среднее энергопотребление (на системном уровне): средняя потребляемая мощность: 6.2 Вт, максимальная: 8.9 Вт. (режим Burst),
- Потребляемая мощность (IDLE): макс. 35 мВт,
- Напряжение питания: 3.3 В ± 5 % допустимые колебания напряжения,
- Программное обеспечение: ПО Magician для управления SSD
- Комплектация:
- Документация,
- Накопитель
- Цвет производителя:
- черный
- Страна-производитель:
- Китай
- Гарантия:
- 36 мес.
Фото SSD-накопитель Samsung 1000GB M.2 PCI Express 3.0 x4 3D V-NAND (MZ-V8P1T0CW)
Написать отзыв о товаре
1(0)
2(0)
3(0)
4(0)
5(0)
0
оценок (0)
На этот товар еще не оставили отзыв, будьте первым!
оставить отзыв
SSD-накопитель Samsung 1000GB M.2 PCI Express 3.0 x4 3D V-NAND (MZ-V8P1T0CW)
Нет в наличии