Транзистор NCEP60T12A (EF80)

Для ремонта высокоэффективных импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и инверторов, требующих высокой производительности и минимальных энергетических потерь, отлично подойдёт N-канальный MOSFET транзистор NCEP60T12A. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)), он снижает потери при проводимости, а его высокая скорость переключения обеспечивает стабильную работу на высоких частотах. Этот компонент идеально подходит для восстановления и поддержания энергоэффективности силовой электроники.

Характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET;
• Максимальное напряжение сток-утечка: 600 В;
• Максимальный ток стока: 120 А;
• Сопротивление открытому каналу: 0,022 Ом;
• Максимальная рассеиваемая мощность: до 500 Вт;
• Корпус: TO-247.