Модуль памяти Goodram IR-XB3200D464L16SA/16GDC DDR4 SDRAM 2х8Гб 3200 МГц (567013)

Модуль памяти Goodram IR-XB3200D464L16SA/16GDC – это высококачественный компонент, предназначенный для увеличения производительности и расширения оперативной памяти в компьютерных системах. Он предлагает надежность, быстродействие и совместимость, что делает его привлекательным выбором для различных задач и приложений.

IR-XB3200D464L16SA/16GDC от Goodram имеет общий объем памяти 16 ГБ, что позволяет компьютеру обрабатывать больше данных одновременно и улучшает общую производительность системы. Модуль спроектирован с учетом стандарта DDR4, обеспечивающего высокую скорость передачи данных и эффективное использование энергии.

Модуль памяти работает на частоте 3200 МГц, что обеспечивает быстрый доступ к данным и позволяет запускать требовательные программы с минимальной задержкой. Он поддерживает профиль XMP (eXtreme Memory Profile), что облегчает настройку и оптимизацию памяти для достижения максимальной производительности.

IR-XB3200D464L16SA/16GDC имеет латентность CL16, что гарантирует отзывчивость системы и позволяет справляться с высокими нагрузками. Это делает модуль памяти идеальным выбором для геймеров, разработчиков и других пользователей, которым нужна высокая производительность и отзывчивость при выполнении задач.

Модуль памяти Goodram IR-XB3200D464L16SA/16GDC обладает надежностью и стабильностью, что обеспечивает длительный срок службы и минимальное количество ошибок. Он прошел строгие испытания и отвечает высоким стандартам качества, что гарантирует его надежную работу в разных условиях.

В целом модуль памяти Goodram IR-XB3200D464L16SA/16GDC является надежным и быстродействующим решением для расширения оперативной памяти в компьютерных системах. С его помощью можно значительно улучшить производительность и отзывчивость компьютера, обеспечивая плавное выполнение задач и запуск требовательных приложений.

Характеристики:

Тип товара: модуль памяти/оперативная память
Назначение: для пк
Объем памяти: 16 ГБ
Тип памяти: DDR4 SDRAM
Напряжение питания: 1.35 В
Частота памяти: 3200 МГц
Схема таймингов памяти: CL16-18-18
Количество планок: 2