Оперативная память Goodram DDR3L SDRAM 8 Гб 1600 МГц (GR1600S3V64L11/8G)

Модуль памяти Goodram GR1600S3V64L11/8G - это высококачественный модуль оперативной памяти, разработанный для повышения производительности и улучшения работы компьютерной системы. Этот модуль предназначен для использования в ноутбуках и других мобильных устройствах.

GR1600S3V64L11/8G имеет емкость 8 гигабайт и работает на частоте 1600 мегагерц, что обеспечивает быстродействие и отзывчивость системы. Этот модуль памяти использует стандарт DDR3, который широко распространен и совместим с большинством современных компьютерных систем.

Одно из преимуществ модуля GR1600S3V64L11/8G - это его низкое энергопотребление. Он работает с низким напряжением, что помогает снизить потребление энергии и повысить эффективность работы ноутбука или другого устройства. Благодаря этому модуль позволяет увеличить время автономной работы и продлить срок службы батареи.

GR1600S3V64L11/8G также отличается надежностью и стабильностью работы. Goodram - известный производитель памяти, известный своими высокими стандартами качества. Модуль памяти проходит строгие тесты и сертификацию, чтобы обеспечить надежную и безопасную работу в вашей системе.

Установка модуля GR1600S3V64L11/8G в вашу систему обычно является простой процедурой. Он совместим с различными ноутбуками и устройствами, поддерживающими стандарт DDR3 и оперативную память частотой 1600 МГц. Рекомендуется проверить совместимость с вашей системой перед покупкой.

В целом, модуль памяти Goodram GR1600S3V64L11/8G - это надежный и высококачественный компонент, предназначенный для улучшения производительности вашей компьютерной системы. Он обеспечивает высокую скорость работы, энергоэффективность и стабильность, делая его отличным выбором для обновления памяти в ноутбуке или другом мобильном устройстве.

Характеристики:

• Тип товара: модуль памяти/оперативная память
• Назначение: для ноутбука
• Объем памяти: 8 ГБ
• Тип памяти: DDR3L SDRAM
• Напряжение питания: 1.35 В
• Частота памяти: 1600 МГц
• Эффективная пропускная способность: 12800 MБ/с
• Схема таймингов памяти: CL11
• Количество планок: 1
• Форм-фактор: SO-DIMM